Несмелова Ирина Михайловна

Родилась 10 декабря 1934 г. Казани.

Окончила Казанский университет (1957), работает в Институте прикладной оптики НПО Федерального ГУП Российского агентства по обычным вооружениям, ведущий научный сотрудник (с 1989 г.).

Труды по физике твёрдого тела и полупроводников. Несмелова исследовала электрофизические свойства бинарных и тройных полупроводников периодической таблицы химических элементов Д.И.Менделеева, определила и уточнила параметры зонной структуры соединений, разработала 4 стандарта предприятия, внедрила методики аттестации полупроводниковых кристаллов на предприятиях цветной металлургии.

Разработала и создала макетные образцы малогабаритного, малоинерционного, высокоточного медицинского датчика температур.

Награждена медалями.

Оптические свойства узкощелевых полупроводников. Новосиб., 1992; 

Материалы для ИК приёмников излучения, альтернативные CdHgTe: обзор // Оптический журн. 2007. Т. 76, № 3 (соавт.).

Автор — Р.Г.Усманов