Хайбуллин Ильдус Бариевич

11 октября 1937 г., деревня Нурлаты Нурлатского района – 23 февраля 2007 г., Казань.

После окончания Казанского авиационного института (1960) работал на заводе №296 (ныне Производственное объединение «Элекон»).

С 1966 г. в Физико- техническом институте Казанского научного центра Российской академии наук, заместитель директора (1988–1992), одновременно заведующий лабораторией радиационной физики (1989–2007), профессор (1991).

С 1992 г. главный ученый секретарь Акдемии наук РТ.

Внес вклад в становление Академии наук РТ и организацию ее работы.

Труды по физике взаимодействия высокоэнергетических ионных и импульсных пучков с веществом.

Совместно с М.М.Зариповым и другими в 1973 г. открыл явление лазерного отжига полупроводников (Государственная премия СССР, 1988 г.).

Хайбуллин разработал физические основы ионно-импульсной модификации материалов (полупроводников, металлов и диэлектриков).

Установил механизмы и основные закономерности аморфизации полупроводниковых кристаллов при ионной бомбардировке; выявил природу изменения оптических свойств в облученных полупроводниках.

Обнаружил эффекты аномально высокого вакансионного распухания, аномально высокой растворимости примесей замещения при лазерном отжиге имплантированных полупроводников; структурный переход германия в ультрадисперсное состояние и полиморфный переход германия в металлическую модификацию.

Установил основные закономерности процесса ионного синтеза силицидов переходных металлов; определил природу и выявил закономерности эффекта ионностимулированной адгезии тонких пленок, механизмы эффекта анизотропного локального плавления полупроводников при импульсных световых обработках.

За разработку научных основ технологии изготовления голограммных дифракционных решеток удостоен Международной премии Академии наук СССР и Академии наук Германской Демократической Республики (обе – 1988 г.), Государственной премия РТ (1998), премии имени Дж. Гиббонса института инженеров электроники и электронной техники (США, 2009 г., посмертно).

Награжден орденом «Знак Почета».

Локальный лазерный отжиг полупроводниковых ионно-легированных слоёв // Физика и техника полупроводников. 1975. Том 9, выпуск 10 (соавтор).

Влияние имплантации ионов меди на оптические свойства и низкотемпературную проводимость углеродных пленок // Физика и техника полупроводников. 2006. Том 40, выпуск 4 (соавтор).

Окрашивание кристаллов рутила путем имплантации ионов марганца, железа и кобальта // Ученые записки Казанского университета. Серия Естественные науки. 2006. Том 148, книга 1 (соавтор).

Ученый–новатор // Научный Татарстан. 1997. № 3/4.

Автор – Р.Г.Усманов