Баязитов Рустэм Махмудович

Родился 17 декабря 1946 года в городе Владивосток.

После окончания Казанского университета (1970) работает в Физико-техническом институте Казанского научного центра Российской Академии наук, ведущий научный сотрудник (с 1999 года). С 2003 года заведующий лабораторией воздействия интенсивной радиации.

Труды по ионной имплантации и импульсно-лучевой модификации твердых тел.

Разработал методику расчетов нестационарных температурных полей при импульсно-лучевых воздействиях световыми, электронными, ионными пучками. Предложил методы оптимизации импульсных обработок полупроводниковых материалов и структур.

Совместно с И.Б.Хайбуллиным и другими открыл явление лазерного отжига (1973).

Государственная премия СССР (1988).

Локальный лазерный отжиг ионно-легированных полупроводниковых слоев // Физика и техника полупроводников. 1975. Т. 9, № 10 (соавтор).

Модификация структуры и электрическая активация примеси при наносекундном лазерном отжиге имплантированного кремния // там же. 1988. Т. 22, № 1 (соавтор).

Pulsed particle beam treatment of implanted silicon // Vacuum. 1992. V.43, № 5–7 (соавтор).

Автор – Р.Г.Усманов