Барышев Николай Сергеевич

15 апреля 1936 года, поселок городского типа Арск – 29 октября 2000 года, город Казань.

После окончания Казанского университета (1959) работал в Федеральном научно-производственном центре «ГИПО»: старший инженер (с 1962 года), старший научный сотрудник (с 1965 года), начальник сектора (с 1973 года), главный научный сотрудник (с 1987 года).

Труды по физике полупроводников и полупроводниковым приборам. Определил основы рекомбинационные процессы в узкозонных материалах, которые широко используются в инфракрасной технике. Разработал инжекционные лазеры и приёмники излучения на основе соединений АIVВVI, АIII ВV, АII ВVI.

Награжден медалями, в том числе имени академика А.А.Лебедева Российского оптического общества.

К теории междузонной ударной рекомбинации в полупроводниках // Физика твердого тела. 1961. Т. 3, № 9 (соавтор).

К теории ударной рекомбинации в полупроводниках с примесной зоной // Там же. 1963. Т. 5, № 2 (соавтор).

О тепловом захвате дырок и электронов в сурмянистом индии // Физика и техника полупроводников. 1967. Т. 1, № 8.