Баширов Радиф Исхакович

3 января 1929 года, город Казань – 20 апреля 1996 года, город Махачкала.

После окончания Казанского университета (1952) работал в Институте физики Дагестанского научного центра Российской Академии наук (город Махачкала): в 1959–1992 годах заведующий лабораторией полупроводников и полупроводниковых приборов, одновременно в 1986–1992 годах заместитель директора, с 1992 года главный научный сотрудник.

Труды по физике полупроводников и физике высоких давлений.

Одним из первых исследовал гальванотермомагнитные явления в полупроводниках в сверхсильных магнитных полях. Впервые обнаружил влияние спинового расщепления уровней Ландау на квантовые осцилляции магнетосопротивления. Установил резкое возрастание термоэлектродвижущей силы в квантующем магнитном поле. Показал возникновение магнетофононного резонанса в полупроводниках, обосновал возможность создания выпрямителей электрического тока на неоднородно разогретой электронно-дырочной плазме германия.

Государственная премия Республики Дагестан (1994).

Квантовые осцилляции магнетосопротивления в n-Jn Sb в сильных импульсных магнитных полях // Доклады Академии Наук СССР. 1963. Т. 148 (соавтор).

Влияние спинового расщепления на эффект Шубникова – де-Гааза в антимониде индия // журнал экспериментальной и теоретической физики. 1964. Т. 47 (соавтор).

Новый класс полупроводниковых диодов // журнал технической физики. 1984. Т. 54 (соавтор).

Автор – Р.Г.Усманов